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< 실습 과정 >Day 1 ) 전체적인 fabrication 과정에 대한 이론 수업과 poly-Si LPCVD 까지의 실습
< 실습 과정 >
1. Wet Etch : poly-Si
- Poly Etchant로 진행. 용액에 담구면 자연스럽게 etch진행.
PR로 가려지지 않은 부분을 없앰으로써 active영역을 형성.
- monitoring을 통해 etch 정도를 확인하고 색의 변화가 가장 중요한 요소임.
-> etching도중 SiO2가 형성, 제거가 반복되며 빨간색 노란색 초록생 등으로 변화하다가 최종적으로 파랗게 변함
(영상 넣고 싶은데.. 너무 용량이 커서..ㅠㅠ)
- DI rinse를 진행한 뒤 현미경으로 etch가 되었는지 확인.
2. PR strip
- etch가 완료됨을 판단한 후 strip 진행
① 황산과 H2O2를 순서대로 넣어 섞은 후 가열시켜 10분동안 PR을 제거시킴
(영상 캡쳐 사용)
② DI water rinse 5회 진행
③ 50:1 HF에 넣어 native oxide와 chemical oxide 제거
④ DI water rinse 5회 진행
=> 'MOS'구조에서 Semiconductor 부분을 형성!
etch 과정을 확인할 때 제대로 etch 되었는지 판단하는 기준을 세우는게 가장 중요할 것 같습니다.
저희 조는 대부분의 active 영역이 잘 된 것 같아 그대로 진행하였습니다!