흔한 필기노트

이전 게시글과 이어집니다! Day 4 ) CV curve와 IV curve 측정 1. MOSFET - MOSFET은 걸어준 전압에 따라 저항이 바뀌고 전류가 바뀌는 소자 - IdVd 그래프와 IdVg그래프 범위별로 잘 알아둬야함. - Vds는 carrier를 빼내고, carrier의 속도에 linear하게 영향을 끼침. - IdVg 그래프에서 5가지 주요 parameter를 확인할 수 있고, 실험을 통해 확인할 것! 2. IV curve - MOSFET에서 측정 ① 5번째 die ) W=100, L=100um ② 5번째 die ) W=100, L=70um - Vth = 3.68V - I_on = 0.1222uA - I_off = 0.0191nA - SS = 1/1.84..

마지막 4일차 공정실습 후기입니다. 이전 게시글과 이어집니다! Day 4 ) CV curve와 IV curve 측정 1. MOSCAP - MOSCAP은 위와 같은 형태를 띄고, V_G와 GND 두 전압을 인가함. - 걸어준 V_G는 DC와 AC를 함께 가해 V에 따른 C의 변화를 확인할 수 있음. - V_G값에 따라 C의 값은 위와 같이 변화하고, A에 따라 변화함을 확인할 수 있음. - C_max는 gate 아래 영역에 모두 전하가 존재할 때. - 측정된 Dispersion값은 oxide quality와 연관되어 있기에, 가능한 작아야 함. -> 신뢰성 파악. 1보다 작은 값이어야 함. - Vth값은 dispersion max값과 C min값의 중간 gate volt..

이전 게시글과 이어집니다! Day 3 ) Contact 형성 및 측정 장비 사용법 1. 측정 시스템 이론 수업 - 엔지니어의 기본 역량은 재연성을 확인하는 것! Analyze -> DOE -> Experiment -> Analyze -> ... - 측정 시스템은 test pattern을 통해 진행. 공정 능력과 실력을 파악하는 요소가 됨. - metal pad를 찍어 voltage & current measurement - measurement system은 Probe station에서 wafer와 직접 닿아, Connection 으로 기계를 연결시키고 Parameter Analyzer LCR meter로 측정을 함. - 사용하는 측정 tool - 왼쪽 probe sta..

이전 게시글과 이어집니다! Day 3 ) Contact 형성 및 측정 장비 사용법 1. Metal 증착 - metal은 E-beam evaporation으로 증착 진행 - wafer의 pattern 부분이 아래로 향하게 wafer holder에 끼운 뒤 장비에 끼움 evaporation 장비에 wafer 끼우 - Al 고체를 녹이고 증기로 변환시켜 증착시킴. - 내부 vacuum level이 높은, 즉 저진공에서 동작 - 두께는 crystal oscillator로 측정할 수 있음 - metal 증착이 된 후, 내부 고에너지를 가진 전자들을 제거하기 위해 아래 과정 진 - Al 증착을 진행한 후 결과 2. Contact metal patterning & etch - con..

3일차 공정실습 후기입니다. 이전 게시글과 이어집니다! Day 3 ) Contact 형성 및 측정 장비 사용법 1 Contact hole 형성 - 형성하는 contact는 10μmX10μm의 크기를 가지고, 서로가 가장 가까운 거리는 10μm - patterning을 진행할 때 PR의 두께는 6800A, ILD의 두께는 평균 2450A => contact 영역이 작기 때문에 PR develop를 진행할 때 육안으로 잘 보이지 않음 => inspection할 대 hole의 색이 다른 것을 확인하며 진행해야함. (두께에 따라 색이 다르고, 일정하게 같은 색을 띄어야 함) - PR strip 부터 soft bake를 진행 - exposure를 통해 align key를 맞춰 c..

이전 게시글과 이어집니다! Day 2 ) metal, ILD structure 형성 & Doping을 통한 operating 1. ILD Formation - PECVD를 사용하여 소자를 절연시키는(전기적 short를 막아주는) oxide인 ILD를 depisition시킴 - PECVD를 통한 ILD 형성 과정 ① L chamber (로드락챔버)에 wafer를 넣어줌 ② 압력이 A=B가 될 때 까지 압력을 낮게 형성 ③ 로봇팔을 이용하여 wafer를 옆 chamber로 이동시킴 - 수평으로는 chamber간 이동 - 수직으로는 상하이동을 통해 plasma를 인가할 수 있게 옮겨줌 ④ plasma인가를 위해 각 밸브를 열어 가스를 인가해주고 6분30초동안 반응 진행. 반응..

이전 게시글과 이어집니다! Day 2 ) metal, ILD structure 형성 & Doping을 통한 operating 1. Source, Drain, Gate Doping - boat에 wafer를 넣고, doping furnance에 넣어 [P] diffusion 진행 900℃에서 25분간 진행. doping은 전체적으로 진행됨. - doping이 다 된 후 다음 공정을 위해 wafer를 식힘 => doping 진행 doping이 다 되면, ILD를 deposition하게 됩니다. 다음 게시글에 이어서 작성하겠습니다!

2일차, 화요일 실습 내용입니다. 이전 게시글과 이어집니다! Day 2 ) metal, ILD structure 형성 & Doping을 통한 operating 1. 1일차 정리 및 2일차 진행 내용 요약 - 1일차 동안 진행한 구조는 아래와 같음 - structure를 형성하기 위해서는 mask가 필요하고, photo&etch&cleaning 과정을 거쳐 patterning을 진행함! - 2일차에 진행할 내용은, ⅰ Gate를 형성하기 위해 patterning 과정을 진행gkrh, Source, Drain, Gate에 diffusion을 이용한 doping과정을 진행. ⅱ diffusion을 사용하기 위해서는 oxide etching을 진행해야 함 ⅲ 위와 같이 stru..

이전 게시글과 이어집니다! Day 1 ) 전체적인 fabrication 과정에 대한 이론 수업과 poly-Si LPCVD 까지의 실습 1. Oxidation - 'MOS' 구조의 Oxide 형성 과정 - 1000℃의 boat 장비에 wafer 더미 사이에 실습 wafer들을 넣어 loading하여 30분 동안 oxidation 진행 2. LPCVD - 'MOS' 구조의 Metal 형성 과정 - CVD : 원하는 원소가 포함된 가스를 wafer 위에서 반응시켜 원하는 원소로 구성된 막을 형성하는 방법! ( LPCVD 장비에 들어가는 gas를 내보낼 때 추가적인 장비를 사용해 gas를 물로 적셔 파이프로 내보내야함 ) - poly-Si CVD 방법은 전체적인 구조위에 진행되..

이전 게시글과 이어집니다! Day 1 ) 전체적인 fabrication 과정에 대한 이론 수업과 poly-Si LPCVD 까지의 실습 1. Wet Etch : poly-Si - Poly Etchant로 진행. 용액에 담구면 자연스럽게 etch진행. PR로 가려지지 않은 부분을 없앰으로써 active영역을 형성. - monitoring을 통해 etch 정도를 확인하고 색의 변화가 가장 중요한 요소임. -> etching도중 SiO2가 형성, 제거가 반복되며 빨간색 노란색 초록생 등으로 변화하다가 최종적으로 파랗게 변함 (영상 넣고 싶은데.. 너무 용량이 커서..ㅠㅠ) - DI rinse를 진행한 뒤 현미경으로 etch가 되었는지 확인. 2. PR strip - etch가 ..