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< 실습 과정 >Day 3 ) Contact 형성 및 측정 장비 사용법
< 실습 과정 >
1. Metal 증착
- metal은 E-beam evaporation으로 증착 진행
- wafer의 pattern 부분이 아래로 향하게 wafer holder에 끼운 뒤 장비에 끼움
- Al 고체를 녹이고 증기로 변환시켜 증착시킴.
- 내부 vacuum level이 높은, 즉 저진공에서 동작
- 두께는 crystal oscillator로 측정할 수 있음
- metal 증착이 된 후, 내부 고에너지를 가진 전자들을 제거하기 위해 아래 과정 진
- Al 증착을 진행한 후 결과
2. Contact metal patterning & etch
- contact부분에만 metal이 증착되어야 하기에 patterning과정을 재진행
- patterning된 wafer의 metal & PR을 etch하여 contact 형성!
- metal wet etch는 두 조씩 진행.
- PR etch
- wafer 제작 완료
이렇게 wafer에 소자들을 완성하였습니다..!
후에 돌아보니, contact 형성할 때 develop과정을 좀 더 진행해서 얼룩을 줄였으면.. 작동이 더 잘되었을 것 같네요
이렇게 실습이 끝나고 Fab-Out을 진행하였습니다!
다음 Day3 글에서는 이론적으로 배운 내용을 작성해볼게요~