흔한 필기노트

안녕하세요. 이 블로그는 그저 저의 전공 공부에 도움이 되고자 시작했지만, 생각보다 많은 분들이 보시고 구글 검색에 자주 상위권에 뜨는 것을 확인했습니다. 이후 취업을 하면서 블로그는 방치되었고 그저 취업을 위한 수단으로 마무리 되는 듯 했습니다. 하지만 가볍게라도 조금씩 반도체와 취준에 관련된 정보를 올린다면,과거의 제가 받았던 도움들을 다시 베풀 수 있는 기회가 될 것 같아조금씩 글을 올려보려 합니다. 제 글을 읽으시고, 원하는 주제나 듣고싶은 내용이 있으시다면 편히 질문해주세요! 감사합니다. 🍀

대기업 인적성을 준비하면서 사칙연산 능력을 키울 수 있었던 비타민 계산연습 pdf 입니다. NCS 준비하시는 분들이 정말 많이 추천하시는데, 인적성 공부에도 추천합니다 👍 (문제지+답지) 세트로 구성되어 있습니다 1. 덧셈/뺄셈    2. 곱셈    3. 나눗셈      굿노트에 편하게 다운받아서 하시거나, 출력해서 사용하세요! 다들 행복하세요 🍀

안녕하세요 바니입니다! 이번 게시글은 Bipolar Junction Transistor, BJT에 대한 글을 써보려 합니다! 뒷부분에 수식적인 면이 많은데, 수식을 외우기 보다는 이해하면서 보면 이해가 쉬울 거에요! 아마도 ,,, BJT(Bipolar Junction Transistor) BJT는 이름 그대로 2개의 다른 PN junction으로 이루어진 transistor를 말합니다. 가장 먼저 발명 된 transistor이기도 하지요. 구조는 위 사진과 같이 구성되어 있고, Emitter, Base, Collector 세가지 부분으로 구분할 수 있습니다. 그리고, Emitter와 Base 사이의 junction을 Emitter junction, Base와 Collector사이의 junction을 Co..

안녕하세요!! 오늘 [반도체 소자 및 물리]에서 다룰 내용은 MOSFET 입니다. 물리전자2에서 배웠던 내용을 리뷰하는 느낌이 많고, 전체적으로 이해하는데 어렵지는 않을 것 같네요! 강의는 5주차 강의였습니다 :) MOSFET의 종류 mosfet의 종류는 NMOS, PMOS 2가지 존재합니다. 둘을 비교하는 것은 물리전자2 내용에 있기도 하고, 표로 간단히 정리되어 있기 때문에..!! 간단히만 보겠습니다! 내용을 조금 살펴보면, electron의 흐름을 따르는 NMOS는 gate voltage와 drain voltage가 양의 값을 가지고, hole의 흐름을 따르는 PMOS는 gate voltage와 drain voltage가 음의 값을 가진다는 것을 알 수 있습니다. 각 carrier들은 모두 sour..

안녕하세요 바니입니다! 이전 게시글 까지는 p-n junction에 관해 이야기 해 보았는데요! 이번 글은 Metal-Semiconductor구조에 대해 이야기 해보려고 합니다. Metal-Semiconductor Junction Metal-Semiconductor Junction은 metal이 도체로써 전기적으로 흐를 수 있게 해주고, Semiconductor로 이러한 전류를 switching하는 동작을 진행하게 하는 Junction입니다. 이러한 MS Junction의 종류는 두가지가 존재합니다. Schottky contact Ohmic contact 이 두가지를 중점으로 MS junction에 대해 알아봅시다! Schottky contact Schottky contact는 정류역할, rectifyi..

안녕하세요 바니입니다 '^' 오늘 다뤄볼 주제는 MOSCAP 입니다. MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor으로 구성되어있는 구조를 말합니다. 뒤에 나올 중요한 MOSFET을 배우기 전에 알아두어야 할 개념이기 때문에 이번 게시물과 다음 게시물, 열심히 써보죠! MOSCAP의 구조 MOSCAP의 구조는 위와 같이 Metal-SiO2-Semi 순서로 이루어져 있습니다. 각각을 보면... Metal - Poly / Poly-Si / highly-doped polycrystalline Si 를 전극으로 사용 SiO2 - 유전막으로써 E-field를 흘러보내줌 Semiconductor - p형이면 n-channel transistor / n형이면 p-channel transistor 위 그림에서..

이전 게시글과 이어집니다! Day 4 ) CV curve와 IV curve 측정 1. MOSFET - MOSFET은 걸어준 전압에 따라 저항이 바뀌고 전류가 바뀌는 소자 - IdVd 그래프와 IdVg그래프 범위별로 잘 알아둬야함. - Vds는 carrier를 빼내고, carrier의 속도에 linear하게 영향을 끼침. - IdVg 그래프에서 5가지 주요 parameter를 확인할 수 있고, 실험을 통해 확인할 것! 2. IV curve - MOSFET에서 측정 ① 5번째 die ) W=100, L=100um ② 5번째 die ) W=100, L=70um - Vth = 3.68V - I_on = 0.1222uA - I_off = 0.0191nA - SS = 1/1.84..

안녕하세요 바니입니다!! 이전 게시글이었던 2022.02.21 - [전자공학과 전공/물리전자II] - [ 물리전자II ] MOSCAP의 구조와 원리(1) [ 물리전자II ] MOSCAP의 구조와 원리(1) 안녕하세요 바니입니다 '^' 오늘 다뤄볼 주제는 MOSCAP 입니다. MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor으로 구성되어있는 구조를 말합니다. 뒤에 나올 중요한 MOSFET을 배우기 전에 알아두어야 할 개념이기 때문에 electronics-bani.tistory.com 에 이어서 MOSCAP에 대한 이야기를 끝내보려 합니다! 오늘은 MOSCAP에서 strong inversion, charge density에 대한 이야기를 중심으로 진행해겠습니다. Strong Inversion 우선, p..

안녕하세요! 이번 게시글은 CMOS의 동작을 간단하게 살펴본 뒤, CMOS 공정 흐름을 알아보겠습니다! 마지막에는 NMOS의 공정 과정에 대해서도 아주 간단히 살펴보겠습니다. 우선 MOSFET은 NMOS와 PMOS로 나눌 수 있습니다. MOS는 metal-oxide-semiconductor의 구조로 이루어진 것을 말하고, NMOS는 gate에 V_th보다 높은 전압을 걸어주면 channel이 형성되면서(inversion) 전류가 흐르게 되고, PMOS는 gate에 │V_th│보다 높은 전압을 걸어주게 되면 전류가 흐르게 됩니다. (자세한 MOSFET에 대한 내용은 물리전자2 게시물로 가면 확인할 수 있습니다 :) ) 이러한 NMOS와 PMOS를 combine하여 만든 것이 ..

안녕하세요! 이번 글은 Photolithography에 대한 내용에 대해 작성해 보려 합니다! 이부분 강의가 2주분량...(61페이지)였어서 조금 길 것 같아요. 그래서 두 파트로 나누어 진행하려 합니다! 너무 길어서 보기 힘들더라구요ㅠ (1)에서는 전반적인 photolithography 과정에 대해 알아봅시다! 전반적인 과정 Preview Photolithography에 대한 자세한 내용을 살펴보기 전에, 전반적인 내용은 위와 같습니다. 한줄로 정리하면, "wafer의 surface에 PR을 이용해 mask/reticle pattern의 design을 transfer하는 patterning process"라고 할 수 있습니다! 자세한 내용은 아래에 차차 다루어 보도록 하겠습니다 :) < Photores..

안녕하세요! 오늘 데이터분석에서 다뤄볼 내용은 실험계획법 입니다! 이전에는 데이터를 어떻게 분석하느냐 에대해 배워왔다면, 이후부터는 데이터를 어떻게 수집하고 실험은 어떻게 진행할 것인지에 대한 내용을 알아보려 합니다. 실험계획법 실험계획법, DOE(Design of Experiments)는 제품의 특성에 영향을 미치는 여러 인자를 선정하는 것 입니다. 이 인자들의 관계를 알아보기 위한 실험을 진행하고, 제품 최적조건을 최소노력과 최소비용으로 찾아내는 기법입니다. 즉, 경제성과 효율성을 추구하는 방법입니다. 여기서 말하는 실험은, 출력 변화에 대한 원인을 관찰할 수 있도록 공정이나 시스템 입력변수에 계획된 변화를 가하는 일련의 시행을 말합니다. 위 그림처럼 제어가 가능하거나 불가능한 인자..

안녕하세요! 이번 반도체 소자 및 설계에서 다룰 내용은 Memory device에 대한 내용입니다! 메모리의 종류, 구조에 대해서 배우고 많이 사용되는 메모리인 DRAM과 FLASH 메모리에 대해 더 자세히 알아보려고 합니다! Memory Memory는 크게 메모리 반도체, 시스템(비메모리) 반도체로 구분됩니다. 메모리 반도체는 휘발성(volatile) 메모리인 RAM(Random Access Memory)와 비휘발성(non-volatile) 메모리인 ROM(Read Only Memory)로 나누어 집니다. 이때 휘발성은 power가 있을 때만 데이터가 저장되는 물질을 말하고, 비휘발성은 power가 없어도 저장된 정보를 유지하는 특성을 말합니다. RAM은 다양한 종류가 존재하지만, DRAM과 SRAM을..

안녕하세요!! 오늘은 '반도체 소자 및 설계' 에서 MOSFET 기술에 대한 내용들에 대한 내용들 입니다! 다양한 MOSFET의 구조와 사용되는 각 기술들에 대해 이야기 해보겠습니다! MOSFET device design의 목표는 on current는 높이고, off current는 줄이고, V_th는 유지해야 하며, SCE를 억제해야 합니다. 또 gate controllability를 높이는, Cox를 높이는 방향으로 진행해야 합니다. DG(Double Gate) MOSFET channel의 아래쪽에 off current가 흐르는 leakage region은 drain의 영향을 많이 받게 됩니다. 그래서 이러한 영역의 gate controllability를 높이기 위해 2개의 gate, top gate..

마지막 4일차 공정실습 후기입니다. 이전 게시글과 이어집니다! Day 4 ) CV curve와 IV curve 측정 1. MOSCAP - MOSCAP은 위와 같은 형태를 띄고, V_G와 GND 두 전압을 인가함. - 걸어준 V_G는 DC와 AC를 함께 가해 V에 따른 C의 변화를 확인할 수 있음. - V_G값에 따라 C의 값은 위와 같이 변화하고, A에 따라 변화함을 확인할 수 있음. - C_max는 gate 아래 영역에 모두 전하가 존재할 때. - 측정된 Dispersion값은 oxide quality와 연관되어 있기에, 가능한 작아야 함. -> 신뢰성 파악. 1보다 작은 값이어야 함. - Vth값은 dispersion max값과 C min값의 중간 gate volt..

안녕하세요! 오늘은 '반도체 소자 및 설계' 마지막 글입니다. Antenna Effect, Power, Trade offs, Reliability에 대한 내용들을 하나씩 간단히 알아보도록 하겠습니다! 다양한 층 위에 metal 배선을 연결하면, metal이 드러나 있는 상황에서 plasma 공정을 진행하게 됩니다. 이온화된 plasma가 metal 위에 축적될 수 있게 되는 상황에서 plasma 이온들이 배선을 타고 gate까지 내려가게 되면서 의도치 않은 bias가 형성될 수 있게 됩니다. 이로 인해 gate oxide가 견딜 수 없이 큰 전압이 걸리게 되면 공정 도중 breakdown이 일어나게 되는데, 이러한 현상을 antenna effect라고 합니다. anten..

안녕하세요! 이번 글은 '반도체 소자 및 설계' 에서의 ESD, Latch-Up, Logic gate에 대해 알아보려 합니다. 각각 다른 내용이기 때문에 하나씩 살펴보도록 하겠습니다. ESD는 Electro Static Discharge의 약자로, 정전기와 같이 매우 높은 전압이 순간적으로 소자에 들어오게 되면서 gate oxide, metal interconnection에 손상을 입는 것을 말합니다. 이를 해결하기 위해 ESD protection circuit을 사용하여 CMOS device에서 ESD를 막아주는 역할을 수항하게 됩니다. ESD protection의 종류에는 current limiting resistor, diode clamps 등이 있습니다. 위 사진은 diode cla..