흔한 전자공학도의 필기노트

안녕하세요! '반도체 공정 및 응용'수업의 마지막 글인, packaging입니다! 반도체 공정 단계에서 가장 마지막 부분이네요 흐흐... 마지막까지 열심히 써보도록 하겠습니다!!! testing은 wafer의 각 die를 functionality적으로 잘 작동하는지 test하는 과정을 말합니다. DC test는 probe station, 현미경으로 정확하게 진행하게 됩니다. transistor는 pin 3개로 진행할 수 있습니다. (gate, source, drain) Electrical die sorting하는 방법은 다음 4개가 존재합니다. ⅰ. electrical test & wafer burn-in - DC biased test (소자 작동 범위에서) - burn-in: 소자..

안녕하세요! 오늘은 반도체 공정 및 응용의 Interconnection에 대한 글을 써보려 합니다! 오늘 글은 수식은 없지만 내용과 사진이 많아 길어질 것 같아요..!ㅜ Interconnections in IC chip interconnection은 다음과 같이 IC chip에서 적용됩니다. IC에 사용되는 common interconnection 물질은 다음 세가지가 있습니다. - Al : 증착이 쉬워 쉽게 올릴 수 있고, etching이 쉬움 - poly-Si : Si와 WorkFunction 차이가 적어 ohmic contact가 작기 때문에 loss가 적음 - diffusion regions : 같은 영역으로 도핑 각각은 사용처에 따라 cross over되고 density 향상이 목표점입니다. 이..

안녕하세요! 이번 '반도체공정및응용'에서 다뤄볼 공정과정은 Etching과정입니다. 이번 글도 조금 길겠지만 열심히 써볼게요! Etching은 wet 또는 dry chemical reaction을 통해 특정 부분의 물질을 제거하는 과정을 말합니다. 원리는 deposition와 반대로 물질을 제거한다는 점에서 CVD와 비슷한 과정을 보입니다. Etching 과정 Etching은 다음과 같이 3단계 과정을 거칩니다. 1) surface에 diffusion을 통해 reactant를 넣어줌 2) surface에 film과 reactant 사이 둘을 반응시킴 3) 반응하여 생긴 by-product를 surface boundary 밖으로 내보냄 위 과정은 CVD와 매우 유사함을 확인할 수 있습..

안녕하세욥 오늘 글은 반도체 공정 및 응용에서 deposition에 대한 이야기를 해보려합니다! 조금 내용이 길어질 것 같아요.. 그래도 열심히 써보겠습니닷! Vacuum vacuum은 진공 상태를 일컫는 말입니다. 불순물의 영향이 없을수록 고진공 상태를 말하고, 1 Atm = 760 Torr라고 합니다. 이러한 진공도의 기준은 아래와 같습니다. - Low Vacuum : > 10^-3 Torr - High Vacuum : < 10^-3 Torr - Very High Vacuum : < 10^-6 Torr - Ultra High Vacuum : < 10^-9 Torr vacuum은 high vacuum일수록 contamination없이 유지 가능하고 전자와 분자의 mean free p..

안녕하세요! 이번 게시글은 ion implantation에 대해 이야기 해보려 합니다. 이번에도 수식이 조금 있어서 그부분은 필기로 대체하고, 정리할 수 있는건 타이핑해서 최대한 정리해 보겠습니다!! diffusion에 이어 ion implantation도 impurity doping의 한 방법입니다. 위 그림과 같이 가속화된 dopant를 넣어주고, 일정 깊이에서 최대 농도를 가지는, Gaussian 분포를 가집니다. Ion Implanter - High voltage Particle Accelerator 위는 ion implantation을 진행하는 implanter입니다. 각 번호로 매겨진 부분에 대해 이야기 해보겠습니다. ①..

안녕하세요! 오늘 써볼 게시글은 diffusion에 관련된 내용입니다. diffusion에도 수식적 내용이 많이 있는데, 중간 중간 수식적인 부분과 예제 부분은 필기로 대체하고, 주요 부분만 정리를 최대한 진행해보려 합니다!! 우선 impurity doping에 대해 짚고 넘어갑시다. 소자에 Vth를 adjustment해주기 위해서 body에 추가적인 doping을 진행시켜 전기적 특성을 바꾸어줍니다. 이렇게 추가적 doping은 N-type을 위해서 Doner인 5족 원소 P, As를, P-type을 위해 Acceptor인 3족 원소 B를 doping해 줍니다. 이러한 doping방법으로는 오늘 설명할 diffusion과 다음 글이 될 ion implantation이..

안녕하세요! 오늘은 반도체 공정 과정 중 Oxidation에 대해 블로깅 해보려 합니다. 이부분 부터 수학적 수식을 많이 배워서 그부분을 정리하기엔 시간이 많이 걸릴 것 같아 필기내용으로 대체합니다! Silicon Dioide (SiO2) SiO2는 매우 쉽게 온도만으로 Si위에 올릴 수 있습니다. 그렇기 때문에 SiO2의 Thermally grown장점들을 다음과 같이 말할 수 있습니다. ⅰ 매우 좋은 insulator ⅱ 높은 breakdown voltage ⅲ 공기중 안정적, reproducible(만들다 지웠다 쉬움) -> 생산성이 뛰어남 ⅳ common impurity(B, P, As, Pb)에 mask로 사용하기 좋음 ⅴ Si와 SiO2 사이의 etching selectivit..

안녕하세요!! 지난 (1)편에 이어 photolithgraphy에 대해 이어서 정리해 보려 합니다. 2023.02.06 - [전자공학과 전공../반도체 공정 및 응용] - [반도체공정및응용] Photolithography (1) [반도체공정및응용] Photolithography (1) 안녕하세요! 이번 글은 Photolithography에 대한 내용에 대해 작성해 보려 합니다! 이부분 강의가 2주분량...(61페이지)였어서 조금 길 것 같아요. 그래서 두 파트로 나누어 진행하려 합니다! 너무 길어 electronics-bani.tistory.com 이번에는 Resolution과 DOF에 관해 이야기 해보겠습니닷! Optics - Basic & Diffraction re..

안녕하세요! 이번 글은 Photolithography에 대한 내용에 대해 작성해 보려 합니다! 이부분 강의가 2주분량...(61페이지)였어서 조금 길 것 같아요. 그래서 두 파트로 나누어 진행하려 합니다! 너무 길어서 보기 힘들더라구요ㅠ (1)에서는 전반적인 photolithography 과정에 대해 알아봅시다! 전반적인 과정 Preview Photolithography에 대한 자세한 내용을 살펴보기 전에, 전반적인 내용은 위와 같습니다. 한줄로 정리하면, "wafer의 surface에 PR을 이용해 mask/reticle pattern의 design을 transfer하는 patterning process"라고 할 수 있습니다! 자세한 내용은 아래에 차차 다루어 보도록 하겠습니다 :) < Photores..

안녕하세요! 이번 게시글은 Wafer와 wafer를 Cleaning하는 방법들에 대해 설명해 보려 합니다. Wafer에 사용되는 Si의 성질과 같은 간단한 설명부터 Si가 wafer로 변화는 과정, 그리고 Cleaning까지 설명하겠습니다! Silicon의 특징 Wafer에 주로 사용하는 물질은 실리콘(Si)입니다. 이러한 Silicon의 특징은 다음과 같습니다. - SiO2의 형태로 많이 존재 → 비용이 낮음. - SiO2(Silicon dioxide) : 공기 중 매우 안정적이고 strong dielectric을 가짐. 온도 가열시 쉽게 자라는 특성 가짐. - 높은 bandgap(1.12eV) : operating temperature가 높고 breakdown voltage가 높..