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< 실습 과정 >Day 3 ) Contact 형성 및 측정 장비 사용법
< 실습 과정 >
1. 측정 시스템 이론 수업
- 엔지니어의 기본 역량은 재연성을 확인하는 것!
Analyze -> DOE -> Experiment -> Analyze -> ...
- 측정 시스템은 test pattern을 통해 진행. 공정 능력과 실력을 파악하는 요소가 됨.
- metal pad를 찍어 voltage & current measurement
- measurement system은
Probe station에서 wafer와 직접 닿아,
Connection 으로 기계를 연결시키고
Parameter Analyzer LCR meter로 측정을 함.
- 사용하는 측정 tool
- 왼쪽 probe station은 Chuck위에 wafer를 올려두고 probe로 찍어 monitor로 probing된 것을 확인하는 곳임.
- 오른쪽 control rack에서는 analyzer control(SW)인 monitor로 program을 control하여 측정.
아래 analyzer를 직접 조절하지 않고 SW로 진행하였음.
- 왼쪽 probe station을 Manipulator라고 한다.
ⅰ chuck위에 wafer를 올려두고 진공상태로 만든다
ⅱ chuck아래 두 다이얼을 움직이며 원하는 위치에 둔다
ⅲ probe tip이 연결된 다이얼을 움직여 미세조정을 한다
ⅳ metal pad와 probe tip이 닿도록 표면을 살짝 긁으며 제대로 연결시킨다
※ Semiconductor Parameter Analyzer (HP4145) - DC analyzer ※
- device의 IV curve 측정
※ Multi Frequency LCR Meter (HP4284) ※
- device의 CV curve 측정
- 장비 점검(Leakage check)
: open/short test를 진행하여 측정 system 오류 점검 먼저 진행
=> environment check, zero check, probe tip&cable check진행 후 wafer ET measurement진행
3일차 까지 wafer 소자 제작과 measurement에 대한 이론적 내용을 배웠습니다!
마지막 4일차에서는 MOSCAP, MOSFET의 이론 지식과 직접 만든 wafer를 측정해 볼 예정입니다.
감사합니닷