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< 실습 과정 > Day 4 ) CV curve와 IV curve 측정
< 실습 과정 >
1. MOSFET
- MOSFET은 걸어준 전압에 따라 저항이 바뀌고 전류가 바뀌는 소자
- IdVd 그래프와 IdVg그래프 범위별로 잘 알아둬야함.
- Vds는 carrier를 빼내고, carrier의 속도에 linear하게 영향을 끼침.
- IdVg 그래프에서 5가지 주요 parameter를 확인할 수 있고, 실험을 통해 확인할 것!
2. IV curve
- MOSFET에서 측정
① 5번째 die ) W=100, L=100um
② 5번째 die ) W=100, L=70um
- Vth = 3.68V
- I_on = 0.1222uA
- I_off = 0.0191nA
- SS = 1/1.8475 = 0.54
- DIBL = 0.4V
③ 6번째 die ) W=100, L=100um
- Vth = 4.12V
- I_on = 0.0751uA
- I_off = 0.0536nA
- SS = 1/1.2610= 0.7930
- DIBL = 0.6V
④ 6번째 die ) W=100, L=30um
⑤ 6번째 die ) W=100, L=10um
3. modulation. 왜 device가 측정되지 않았는지?
- 측정에서 왜 제대로 device가 작동하지 않았는지 구조적 관점 -> 공정적 관점에서 생각해 보아야 함.
- 위 과정을 제대로 설명하는 것이 문제 해결 능력!
4. 측정 parameter의 경향
- 반도체 3가지 만족 요건 : Power↓, Performance↑, Area↓
5. 이상한 동작을 하는 device
ⅰ saturation되었다가 증가하는 전류값
- 구조가 어떻길래 갑자기 증가할까? 생각해보기
- Vds가 과도하게 증가하면, Source와 Drain의 depletion 영역이 증가, Punch Through가 발생하며 전류 증가
ⅱ 낮은 Vgs에서 큰 noise 발생
- 측정하는 장치의 한계.
- e-12가 최소값으로 지정되어 있어, 아래의 값은 noise가 크게 발생
ⅲ 직선처럼 보이는 그래프
ⅳ 반대로 흐르는 전류
-> 예상)
ILD etch가 과하게 진행되어서 source와 drain이 연결되었거나, 과식각으로 인해 gate가 제대로 된 역할이 하지 않음
4일동안의 공정실습이 끝이 났습니다..
자세한 후기와 소감은 다음 글에서 적어볼게요!