3일차 공정실습 후기입니다.
이전 게시글과 이어집니다!
< 실습 과정 >Day 3 ) Contact 형성 및 측정 장비 사용법
< 실습 과정 >
1 Contact hole 형성
- 형성하는 contact는 10μmX10μm의 크기를 가지고, 서로가 가장 가까운 거리는 10μm
- patterning을 진행할 때 PR의 두께는 6800A, ILD의 두께는 평균 2450A
=> contact 영역이 작기 때문에 PR develop를 진행할 때 육안으로 잘 보이지 않음
=> inspection할 대 hole의 색이 다른 것을 확인하며 진행해야함.
(두께에 따라 색이 다르고, 일정하게 같은 색을 띄어야 함)
- PR strip 부터 soft bake를 진행
- exposure를 통해 align key를 맞춰 contact pattern을 형성
- PEB와 develop을 진행하고 inspection하여 구조를 확인한 뒤 hard bake까지 진행
- contact hole 형성을 위한 ILD etch는 dry etch로 1400A 정도를 진행한 뒤 wet etch로 나머지를 진행
- wet etch에서는 monitor를 통해 sheet off 현상을 보고 oxide etch를 정확히 확인해야 함.
(이전에 진행한 oxide는 deposition으로 진행했지만, ILD는 thermal oxidation을 진행했기 때문에
etch rate가 당연히 다르고 두께가 다르기 때문에 시간이 아닌 >>sheet off<<현상을 꼭 확인해야 함)
contact hole을 만들어 두었으니, 이제 이 부분에 metal을 채우면 구조가 완성됩니다.
다음 글은 metallization 과정!!!