SPTA)반도체 소자 제작 및 전기적 특성 분석(심화) _ 공정 실습 Day 2 - Source, Drain, Gate Doping

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< 실습 과정 >Day 2 ) metal, ILD structure 형성 & Doping을 통한 operating

 

< 실습 과정 >

 

1. Source, Drain, Gate Doping

 

 - boat에 wafer를 넣고, doping furnance에 넣어 [P] diffusion 진행

furnance&nbsp; v( '^' )v

boat

furnance에 넣어줍니다

 900℃에서 25분간 진행. doping은 전체적으로 진행됨. 

 

 - doping이 다 된 후 다음 공정을 위해 wafer를 식힘

 

=> doping 진행

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doping이 다 되면, ILD를 deposition하게 됩니다.

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