SPTA)반도체 소자 제작 및 전기적 특성 분석(심화) _ 공정 실습 Day 4 - MOSCAP의 이론과 CV curve측정

마지막 4일차 공정실습 후기입니다. 

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< 실습 과정 > Day 4 ) CV curve와 IV curve 측정

 

< 실습 과정 >

 

1. MOSCAP

- MOSCAP은 위와 같은 형태를 띄고, V_G와 GND 두 전압을 인가함. 

 

 

- 걸어준 V_G는 DC와 AC를 함께 가해 V에 따른 C의 변화를 확인할 수 있음. 

- V_G값에 따라 C의 값은 위와 같이 변화하고, A에 따라 변화함을 확인할 수 있음. 

- C_max는 gate 아래 영역에 모두 전하가 존재할 때.

 

- 측정된 Dispersion값은 oxide quality와 연관되어 있기에, 가능한 작아야 함. -> 신뢰성 파악. 1보다 작은 값이어야 함. 

 

- Vth값은 dispersion max값과 C min값의 중간 gate voltage로 측정

 

 

2. CV curve

(1) MOSCAP

( 제작한 wafer 내 작동하는 moscap을 찾지 못해서..ㅠㅠ 사진 없음 )

 

(2) MOSFET

 

 - 측정된 소자 3개 

① 5번째 die L=100um, W=100um 일 때  -> 오른쪽 아래 모서리부터 첫번째 줄 1번째 소자

dispersion max = 6.88V

voltage min = 1.36V

  => Vth = 4.12V

 

 

② 5번째 die L=70um, W=200um 일 때  -> 오른쪽 아래 모서리부터 첫번째 줄 2번째 소자

dispersion max = 5.92V

voltage min = 1.6V

   => Vth = 3.76V

 

③ 5번째 die L=70um, W=200um 일 때  -> 오른쪽 아래 모서리부터 두번째 줄 2번째 소자

측정 X

 

+ mosfet 측정 성공 영상

감격스러운 첫 작동 소자 발견..!

 

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다음 글에서는 IV curve 측정을 진행한 내용을 작성해 볼게요!